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參數資料
| 型號： | HYB 39S128800CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128兆位（4banks ×的4Mb × 8）同步DRAM（128M的（4 × 4分列位× 8）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 24/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | HYB 39S128800CT |
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HYB39S128400/800/160CT(L)
128MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S16160CT-5.5 | 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合)) |
| HYB 39S16160CT-6 | 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合)) |
| HYB 39S16160CT-7 | 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合)) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| HYB39S128800FE-7 | 制造商:Qimonda 功能描述: |
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