參數(shù)資料
型號: HYB 39S64400BT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 64兆比特同步DRAM(6400位(4 × 4分列位× 4)同步動態(tài)RAM)的
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代理商: HYB 39S64400BT
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關PDF資料
PDF描述
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HYB 39S64400CT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S64800CT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
HYB 5118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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