參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S64400BT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 64兆比特同步DRAM(6400位(4 × 4分列位× 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁(yè)數(shù): 30/53頁(yè)
文件大?。?/td> 354K
代理商: HYB 39S64400BT
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
29
9. AC Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
Auto Precharge
Command
Bank B
Write with
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Addr.
AP
DQM
DQ
BS
Hi-Z
RCD
t
Ax2
Ax1
Ax0
Ax3
RC
t
RAx
RAx
t
AS
t
AH
RBx
RBx
CAx
Activate
Command
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Write
Command
Bank A
Bank A
Bank A
SPT03910
Bx2
Bx1
Bx0
Bx3
DS
t
t
DH
Ay2
Ay1
Ay0
Ay3
t
WR
RAy
RAy
CBx
RAy
RP
t
RAz
RAz
T8
Precharge
Bank A
Begin Auto
CLK
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CK2
t
CS
t
CH
CKS
t
CH
t
t
CL
t
T3
T0
T2
T1
T4
T5
T7
T6
Bank B
Precharge
Begin Auto
t
CKH
T18
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T13
T9
T10
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T19
T20
T22
T21
RBy
RBy
RRD
t
Activate
Command
Bank B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S64800BT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S64XXX0BTL 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動(dòng)態(tài)RAM(低功耗版))
HYB 39S64400CT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S64800CT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 5118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB39S64400BT-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM
HYB39S64400BT-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM
HYB39S64400BT-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, 54 Pin Plastic SMT
HYB39S64400BT75 制造商:SIEMENS 功能描述:*
HYB39S64400BT-8 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM