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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S64400CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64兆比特同步DRAM（6400位（4 × 4分列位× 4）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 28/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 346K |
| 代理商： | HYB 39S64400CT |
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HYB39S64400/800/160CT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
28
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Full Page Burst Read Operation
8.2 Termination of a Full Page Burst Write Operation
(
SPT03722
CLK
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT A1 DOUT A2 DOUT A3
NOP
NOP
Burst
Terminate
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
DOUT A3
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
(CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read A
The burst ends after a delay equal to the CAS latency.
Input data for the Write is masked.
T4
latency = 2, 3
DQ’s
NOP
(CAS latency = 2, 3)
T0
Command
CAS
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03419
T6
Burst
Terminate
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述 |
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