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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 5118165BSJ |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（100萬(wàn)× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB 5118165BSJ |
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HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
4
1998-10-01
Block Diagram for HYB 5118165BSJ
Data In
Buffer
Data Out
Buffer
I/O1 I/O2
I/O16
OE
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
&
No.2 Clock
Generator
Column
Address
Buffers (10)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (10)
Buffers (10)
Address
Row
No.1 Clock
Generator
10
10
Memory Array
1024 x 1024 x 16
Decoder
Row
.
.
..
..
16
16
16
10
10
WE
UCAS
LCAS
RAS
SPB02826
. . .
10
.
.
.
Generator
Voltage Down
V
CC
V
CC
(internal)
1024
1024
16
x
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB3118165BSJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB 514100BJ-60 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-60 | 制造商:Siemens 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 42 Pin, Plastic, SOJ |
| HYB5118165BSJBST-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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