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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G400AFL-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 38/89頁 |
| 文件大小： | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G400AFL-3S |
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Page 38 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
The seamless burst write operation is supported by enabling a write command every BL / 2 number of clocks. This
operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
The seamless, non interrupting 8-bit burst write operation is supported by enabling a write command at every BL /
2 number of clocks. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are acti-
vated.
Seamless Burst Write Operation: RL = 5, WL = 4, BL = 4
Seamless Burst Write Operation: RL = 3, WL = 2, BL = 8, non interrupting
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
W RITE A
Post CAS
W L = RL - 1 = 4
W RITE B
Post CAS
DIN B0 DIN B1 DIN B2 DIN B3
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
SBR
DQS,
DQS
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
W RITE A
W L = RL - 1 = 2
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
SBW_BL8
DQS,
DQS
W RITE B
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3 DIN A4 DIN A5 DIN A5 DIN A7
DIN B0 DIN B1 DIN B2 DIN B3 DIN B4 DIN B5 DIN
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G160AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-3S | POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
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