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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G400AFL-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 57/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G400AFL-3S |
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HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 57 Rev. 1.02 May 2004
Active Power-Down Mode Entry and Exit after a Write Command: WL = 2, tWTR = 2, BL = 4
Active Power-Down Mode Entry and Exit after a Write Command with AP: WL = 2, tWR = 3, BL = 4
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
NOP
W RITE
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
CMD
DQ
DQS,
DQS
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Tn
Tn+1
CKE
WL = RL - 1 = 2
WL + BL/2 + tWTR
NOP
NOP
Act.PD 2
tWTR
tIS
Tn+2
tIS
Valid
Command
Active
Power-Down
Exit
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
Active
Power-Down
Entry
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.WR is the programmed value in the MRS mode register.
NOP
NOP
W RITE
w/AP
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
CMD
DQ
DQS,
DQS
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Tn
Tn+1
CKE
WL = RL - 1 = 2
WL + BL/2 + WR
NOP
NOP
Act.PD 3
WR
tIS
Tn+2
tIS
Valid
Command
Active
Power-Down
Exit
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
Active
Power-Down
Entry
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G160AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF-3S | POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
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