參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T1G800AF-37
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 72/89頁(yè)
文件大?。?/td> 1752K
代理商： HYB18T1G800AF-37
Page 72 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
6. IDD Specifications and Measurement Conditions
6.1 IDD Specifications
(VDDQ = 1.8V
±
0.1V; VDD = 1.8V
±
0.1V, 0
o
C to T
CASEmax
.)
Symbol
Parameter/Condition
I/O
-5
DDR2 -400
-3.7
DDR2 -533
-3 & -3S
DDR2 -667
Unit
max.
max.
max.
IDD0
Operating Current
x4/ x8
x16
70
75
75
80
80
85
mA
IDD1
Operating Current
x4/ x8
x16
80
90
85
95
95
105
mA
IDD2PPrecharge Power-Down Current
IDD2NPrecharge Standby Current
IDD2QPrecharge Quiet Standby Current:
all
5
5
5
mA
all
35
46
56
mA
all
28
32
39
mA
IDD3P
Active Power-Down Standby
Current
MRS(12)=0
all
13
17
21
mA
MRS(12)=1
all
5
5
5
mA
IDD3NActive Standby Current
all
40
50
60
mA
IDD4ROperating Current Burst Read
x4/ x8
x16
90
105
110
130
130
155
mA
IDD4WOperating Current Burst Write
x4/ x8
x16
95
110
115
135
135
165
mA
IDD5BBurst Auto-Refresh Current (tRFC=tRFCmin)
IDD5DDistributed Auto-Refresh Current (tRFC=7.8 μs)
IDD6
Self-Refresh Current for standard products
IDD6LSelf-Refresh Current for low power products
all
180
185
190
mA
all
7
7
7
mA
all
5
5
5
mA
all
2
2
2
mA
IDD7
Operating Current (8 banks interleave)
x4/ x8
x16
195
255
205
270
215
285
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T1G800AF-3S POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST
HYB18T1G800AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3S 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
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