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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G800AF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 88/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G800AF-37 |
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Page 88 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
11. Content
1. Description
1.1 Ordering Information
1.2 Pin Description
1.3 DDR2 SDRAM Addressing
1.4 Package Pinouts
1.5 Input / Output Functional Description
1.6 Block Diagrams
2.
Functional Description
2.1 Simplified State Diagram
2.2 Basic Functionality
2.2.1 Power-On and Initialization
2.2.2 Programming the Mode Registers
2.2.3 Mode Register Set (MRS)
2.2.4 Extended Mode Register Set (EMRS(1))
2.2.5 Extended Mode Register Set (EMRS(2))
2.2.6 Extended Mode Register Set (EMRS(3))
2.3 Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment
2.4 ODT On-Die Active Termination
2.5 Bank Activate Command
2.6 Read and Write Command
2.6.1 Posted
CAS
2.6.2 Burst Mode Operation
2.6.3 Burst Read Operation
2.6.4 Burst Write Operation
2.6.5 Write Data Mask
2.6.6 Burst Interruption
2.7 Precharge Command
2.7.1 Burst Read Operation followed by a Precharge
2.7.2 Burst Write Operation followed by a Precharge
2.8 Auto-Precharge Command
2.8.1 Read with Auto-Precharge
2.8.2 Write with Auto-Precharge
2.8.3 Read or Write to Precharge Command Spacing Summary
2.8.4 Concurrent Auto-Precharge
2.9 Refresh Commands
2.9.1 Auto-Refresh Command
2.9.2 Self-Refresh Command
2.10 Power-Down
2.11 Other Commands
2.11.1 No Operation
2.11.2 Deselect
2.12 Input Clock Frequency Change
2.13 Asynchronous CKE Low Event
3. Truth Tables
3.1 Command Truth Table
3.2 Clock Enable (CKE) Truth Table
3.3 Data Mask (DM) Truth Table
4. Operating Conditions
4.1 Absolute Maximum Ratings
4.2 DRAM Component Operating Temperature Range
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800AF-3S | POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST |
| HYB18T1G800AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
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