參數(shù)資料
型號： HYB18T1G800AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 87/89頁
文件大?。?/td> 1752K
代理商： HYB18T1G800AF-37
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 87 Rev. 1.02 May 2004
10. DDR2 Component Nomenclature
1
INFINEON
Component Prefix
HYB for DRAM Components
6
Product Variations
0 = standard
2 = two dies in one package
A = 1st Generation
B = 2nd Generation
C = 3rd Generation
C = BGA package
F = BGA packages (lead and
halogen free)
-5 = DDR2-400-333
-3.7 = DDR2-533-444
-3 = DDR2-667-444
-3S = DDR2-667-555
2
Power Supply Voltage
18 = 1.8 V Power Supply
7
Die Revision
3
DRAM Technology
T = DDR2
8
Package Type
4
Memory Density
256 = 256 Mb
512 = 512 Mb
1G = 1024Mb
2G = 2048 Mb
40 = x4, 4 data in/outputs
80 = x8, 8 data in/outputs
16 = x16, 16 data in/outputs
9
Speed Grade
5
Memory Organisation
0
A
C
- 5
1 8
T
4 0
H Y B
1 G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Example:
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T1G800AF-3S POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST
HYB18T1G800AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3S 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
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