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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G800AF-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G800AF-5 |
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HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 43 Rev. 1.02 May 2004
Examples:
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 4 (AL = 1, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 4 (AL = 1, CL = 3), BL = 8, tRTP <= 2 clocks
NOP
Precharge
NOP
Bank A
Activate
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 1
CL = 3
RL = 4
>=tRAS
CL = 3
tRP
DQS,
DQS
NOP
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
NOP
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P413(8)
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 1
CL = 3
RL = 4
>=tRAS
CL = 3
tRP
DQS,
DQS
NOP
>=tRC
>=tRTP
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
Precharge
NOP
Bank A
Activate
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800TC-3 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
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