參數資料
型號： HYB18T1G800AFL-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內存
文件頁數： 48/89頁
文件大小： 1752K
代理商： HYB18T1G800AFL-37
Page 48 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
Examples:
Burst Read with Auto-Precharge followed by an activation to the Same Bank (tRC Limit)
RL = 5 (AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read with Auto-Precharge followed by an Activation to the Same Bank (tRAS Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
A10 ="high"
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
AL = 2
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP5231
tRP
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
tRAS
tRCmin.
NOP
AL + BL/2
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
A10 ="high"
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
AL = 2
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP5232
tRP
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
tRC
tRAS(min)
NOP
CK, CK
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T1G800AFL-3S 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800TC-3 MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G800TC-37 MEMORY SPECTRUM
HYB18T256160AF 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
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