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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G800AFL-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內存 |
| 文件頁數(shù)： | 60/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1752K |
| 代理商： | HYB18T1G800AFL-37 |
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Page 60 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
2.13 Asynchronous CKE Low Reset Event
In a given system, Asynchronous Reset event can occur at any time without prior knowledge. In this situation,
memory controller is forced to drop CKE asynchronously low, immediately interrupting any valid operation. DRAM
requires CKE to be maintained “high” for all valid operations as defined in this data sheet. If CKE asynchronously
drops “l(fā)ow” during any valid operation DRAM is not guaranteed to preserve the contents of the memory array. If
this event occurs, the memory controller must satisfy a time delay (tdelay) before turning off the clocks. Stable
clocks must exist at the input of DRAM before CKE is raised “high” again. The DRAM must be fully re-initialized as
described the initialization sequence (section 2.2.1, step 4 thru 13). DRAM is ready for normal operation after the
initialization sequence. See AC timing parametric table for tdelay specification.
CKE
CKE drops low due to an
asynchronous reset event
Clocks can be turned off after
this point
tdelay
CK, CK
stable clocks
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800AFL-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800TC-3 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T1G800TC-37 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T256160AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
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