- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370781 > HYB18T256160AF-37 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256 Mbi t DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256160AF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 88/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF-37 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁當前第88頁第89頁第90頁
Page 88 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
11. Content
1. Description
1.1 Ordering Information
1.2 Pin Description
1.3 DDR2 SDRAM Addressing
1.4 Package Pinouts
1.5 Input / Output Functional Description
1.6 Block Diagrams
2.
Functional Description
2.1 Simplified State Diagram
2.2 Basic Functionality
2.2.1 Power-On and Initialization
2.2.2 Programming the Mode Registers
2.2.3 Mode Register Set (MRS)
2.2.4 Extended Mode Register Set (EMRS(1))
2.2.5 Extended Mode Register Set (EMRS(2))
2.2.6 Extended Mode Register Set (EMRS(3))
2.3 Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment
2.4 ODT On-Die Active Termination
2.5 Bank Activate Command
2.6 Read and Write Command
2.6.1 Posted
CAS
2.6.2 Burst Mode Operation
2.6.3 Burst Read Operation
2.6.4 Burst Write Operation
2.6.5 Write Data Mask
2.6.6 Burst Interruption
2.7 Precharge Command
2.7.1 Burst Read Operation followed by a Precharge
2.7.2 Burst Write Operation followed by a Precharge
2.8 Auto-Precharge Command
2.8.1 Read with Auto-Precharge
2.8.2 Write with Auto-Precharge
2.8.3 Read or Write to Precharge Command Spacing Summary
2.8.4 Concurrent Auto-Precharge
2.9 Refresh Commands
2.9.1 Auto-Refresh Command
2.9.2 Self-Refresh Command
2.10 Power-Down
2.11 Other Commands
2.11.1 No Operation
2.11.2 Deselect
2.12 Input Clock Frequency Change
2.13 Asynchronous CKE Low Event
3. Truth Tables
3.1 Command Truth Table
3.2 Clock Enable (CKE) Truth Table
3.3 Data Mask (DM) Truth Table
4. Operating Conditions
4.1 Absolute Maximum Ratings
4.2 DRAM Component Operating Temperature Range
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。