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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256160AF-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 71/90頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF-5 |
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HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 71 Rev. 1.02 May 2004
5.5 Input / Output Capacitance
5.6 Power & Ground Clamp V-I Characteristics
Power and Ground clamps are provided on address (A0~A12, BA0, BA1), RAS, CAS, CS, WE, CKE and ODT
pins. The V-I characteristics for pins with clamps is shown in the following table:
Symbol
Parameter
min.
max.
Units
CCK
Input capacitance, CK and CK
1.0
2.0
pF
CDCK
Input capacitance delta, CK and CK
-
0.25
pF
CI
Input capacitance, all other input-only pins
1.0
2.0
pF
CDI
Input capacitance delta, all other input-only pins
-
0.25
pF
CIO
Input/output capacitance,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
3.0
4.0
pF
CDIO
Input/output capacitance delta,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
-
0.5
pF
Voltage across clamp
(V)
Minimum Power
Clamp Current (mA)
Minimum Ground
Clamp Current (mA)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0.1
1.0
2.5
4.7
6.8
9.1
11.0
13.5
16.0
18.2
21.0
0.1
1.0
2.5
4.7
6.8
9.1
11.0
13.5
16.0
18.2
21.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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