參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T256160AL-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256 Mbi t DDR2 SDRAM
中文描述： 256姆噸DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 7/90頁
文件大小： 1246K
代理商： HYB18T256160AL-3S
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 7 Rev. 1.02 May 2004
1.4.2 Package Pinout for x8 components, 60 pins, FBGA Package (top view)
1
2
3
7
8
9
VDD
NU,
RDQS
VSS
A
VSSQ
DQS
VDDQ
DQ6
VSSQ
DM,
RDQS
B
DQS
VSSQ
DQ7
VDDQ
DQ1
VDDQ
C
VDDQ
DQ0
VDDQ
DQ4
VSSQ
DQ3
D
DQ2
VSSQ
DQ5
VDDL
VREF
VSS
E
VSSDL
CK
VDD
CKE
WE
F
RAS
CK
ODT
RFU
BA0
BA1
G
CAS
CS
A10
A1
H
A2
A0
VDD
VSS
A3
A5
J
A6
A4
A7
A9
K
A11
A8
VSS
VDD
A12
NC,(A14)
L
NC,(A15) NC,(A13)
Notes:
1) RDQS / RDQS are enabled by EMRS(1) command.
2) If RDQS / RDQS is enabled, the DM function is disabled
3) When enabled, RDQS & RDQS are used as strobe signals during reads.
4) VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL. They are isolated on the
device from VDD, VDDQ, VSS and VSSQ.
5) NC,(A13), NC,(A14) and NC,(A15) are additional address pins for future generation
DRAMs and are not connected on this component.
6) Ball position G1 “RFU” will be used for BA2 on 1Gbit memory densities and higher
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256400AF 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256400AF-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256400AF-37 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256400AF-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256400AF-5 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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