參數資料
型號： HYB514175BJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁數： 14/22頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： HYB514175BJ-50
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
14
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
SPT03056
"H" or "L"
Column 2
Data OUT 1
t
t
OH
OL
IL
IH
IL
IH
I/O
(Output)
V
V
V
OE
WE
V
V
V
RCS
CAC
t
CLZ
RAC
t
AA
t
t
OES
t
OEA
t
IH
IL
IL
IH
IH
IL
Address
V
V
LCAS
UCAS
RAS
V
V
V
V
RCD
ASC
Column 1
Row
ASR
t
RAD
t
t
RAH
t
t
CRP
t
CSH
CAH
t
ASC
t
HPC
CAS
t
t
t
CP
t
RCH
Data OUT N
t
Data OUT 2
t
COH
AA
t
CPA
t
CAC
t
t
COH
t
AA
CPA
t
CAC
t
t
OEZ
OFF
CRP
RP
RHCP
Column N
CAH
t
CAS
t
t
CAH
ASC
t
t
RAL
RRH
t
RSH
t
CAS
t
t
t
RAS
t
t
相關PDF資料
PDF描述
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
HYB514400BJ-80 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-60 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-70 RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
相關代理商/技術參數
參數描述
HYB514175BJ-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB514175BJ-55 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB514175BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB514175BJL-50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM
HYB514175BJL-55 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*