參數(shù)資料
型號(hào)： HYB514175BJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁數(shù)： 17/22頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： HYB514175BJ-50
HYB 514175BJ-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
17
1998-10-01
RAS-Only Refresh Cycle
SPT03050
"H" or "L"
OH
OL
(Outputs)
Address
I/O
V
V
V
IL
IH
V
Row
LCAS
UCAS
RAS
IL
V
V
IH
V
IL
IH
V
RAH
ASR
t
t
RAS
t
Row
Z
Hi
t
RC
t
RPC
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
HYB514400BJ-80 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-60 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-70 RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
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參數(shù)描述
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