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參數(shù)資料
| 型號： | HYB514265BJ-45 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 45 ns, PDSO40 |
| 文件頁數(shù)： | 10/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | HYB514265BJ-45 |
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HYB 5(3)14265BJ(L)-400/-40/-45/-50
256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
10
Hyper Page Mode (EDO) Read-Modify-Write Cycle
Hyper page mode read/write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
55
–
55
–
ns
CAS precharge to WE delay time
35
–
35
–
ns
CAS before RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
5
–
5
–
ns
CAS hold time
5
–
5
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write to RAS hold time
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
25
–
25
–
ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-400
-40
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314265BJ-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJ-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514265BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514400AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514400AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514400AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514400AZ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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