參數(shù)資料
型號： HYB514265BJ-45
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 45 ns, PDSO40
文件頁數(shù)： 6/28頁
文件大?。?/td> 1324K
代理商： HYB514265BJ-45
HYB 5(3)14265BJ(L)-400/-40/-45/-50
256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
6
DC Characteristics for 314265
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Average
V
CC
supply current during
hyper page mode (EDO) operation: -400 version
-40 version
-45 version
-50 version
I
CC4
–
110
90
75
65
1
mA
2, 3, 4
Standby
V
CC
supply current
(RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
CC
– 0.2 V)
Standby
V
CC
supply current (L-version only)
(RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current during
CAS-before-RAS refresh mode:
I
CC5
–
mA
1
I
CC5
–
200
μ
A
1
-400 version
-40 version
-45 version
-50 version
I
CC6
–
120
120
105
95
mA
2, 4
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
V
CC
+ 0.5 V
0.8
Input high voltage
V
I
H
V
I
L
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I
(L)
2.0
1
Input low voltage
TTL Output high voltage (
I
OUT
= – 2.0 mA)
TTL Output low voltage (
I
OUT
= 2 mA)
CMOS Output high voltage (
I
OUT
= – 100
μ
A)
CMOS Output low voltage (
I
OUT
= 100
μ
A)
Input leakage current, any input
(0 V <
V
IN
<
V
CC
+ 0.3 V, all other inputs = 0 V)
Output leakage current
(DO is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
CC
+ 0.3 V)
Average
V
CC
supply current:
– 0.5
V
1
2.4
–
V
1
–
0.4
V
1
2.4
–
V
1
–
0.4
V
μ
A
1
– 10
10
1
I
O(L)
– 10
10
μ
A
1
-45 version
-50 version
I
CC1
–
105
95
mA
2, 3, 4
Standby
V
CC
supply current
(RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
IH
)
I
CC2
–
2
mA
–
Parameter
Symbol
Limit Values
min.
Unit Notes
max.
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PDF描述
HYB314265BJ-45 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB514265BJ-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
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HYB314265BJL-45 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB314265BJL-50 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
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