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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514405BJL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 1M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20 |
| 文件頁數(shù)： | 9/25頁 |
| 文件大小： | 1361K |
| 代理商： | HYB514405BJL-60 |
Semiconductor Group
9
HYB 514405BJ/BJL-50/-60/-70
1M x 4 EDO - DRAM
CAS before RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to
RAS
10
–
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test
Cycle
CAS precharge time (CAS-
before-RAS counter test cycle)
t
CPT
35
–
40
–
40
–
ns
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
10
–
ns
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9)
C
i1
C
i2
C
io
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE,OE)
–
7
pF
Output capacitance (
I
O1 to
I
O4)
–
7
pF
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514405BJL-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-80 | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-70 | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-60 | 512kx8-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514405BJL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| HYB514800BJ-80 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
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