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AON3812

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
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  • AON3812
    AON3812

    AON3812

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • AOS/萬代

  • DFN

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

  • AON3812
    AON3812

    AON3812

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • AOS

  • DFN 3x3

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • AON3812
    AON3812

    AON3812

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • AOSMD

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
AON3812 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON3812 技術(shù)參數(shù)
  • AON3810 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:280pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:1 AON3806 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 6.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:1 AON3613 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道，共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:245pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:1 AON3611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道，共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A，6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:170pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:1 AON3419 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:3,000 AON4407L_003 AON4420 AON4421 AON4421_001 AON4605 AON4605_001 AON4605_002 AON4703 AON4705L AON4803 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810
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