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APTC80DSK15T3G

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APTC80DSK15T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC80DSK15T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC80DDA29T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80DDA15T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80DA15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80AM75SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):56A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):364nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9015pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80A15T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR
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