您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2568頁 >

APTM100U13SG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTM100U13SG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 65A J3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM100U13SG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100TDU35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100TA35SCTPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100TA35FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100SKM90G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):78A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):744nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20700pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100SK40T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):480 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG
配單專家

在采購APTM100U13SG進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APTM100U13SG產(chǎn)品風險,建議您在購買APTM100U13SG相關(guān)產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的APTM100U13SG信息由會員自行提供,APTM100U13SG內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號