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APTM100UM45D-ALN

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Single switch with Series diode MOSFET Power Module
APTM100UM45D-ALN 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100UM45DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):215A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 107.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1602nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100U13SG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):145 毫歐 @ 32.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2000nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):31600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 APTM100TDU35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100TA35SCTPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100TA35FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG
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