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APTM100UM45F-ALN

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Single Switch MOSFET Power Module

APTM100UM45F-ALN 技術(shù)參數(shù)

APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:215A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM45DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:215A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100U13SG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2000nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:31600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100TDU35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100TA35SCTPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:186nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG