CSD87331Q3D

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
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封裝
批號(hào)
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說明
操作

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功能描述
MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD87331Q3D 技術(shù)參數(shù)

CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-WSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 7A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86360Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2060pF @ 12.5 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86350Q5DEVM-604 功能描述:CSD86350Q NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 13 V 穩(wěn)壓器拓?fù)?降壓頻率 - 開關(guān):290kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86350Q 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603