參數(shù)資料
型號: IDT10S60C
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述: 第二代thinQ!碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 250K
代理商: IDT10S60C
IDT10S60C
9 Typ. C stored energy
10 Typ. Capacitive charge vs. current slope
E
C
=f(
V
R
)
Q
C
=f(d
i
F
/d
t
)
4)
;
T
j
=150 °C;
I
F
I
F,max
0
5
10
15
20
25
100
400
700
1000
di
F
/d
t
[A/μs]
Q
c
[
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
E
c
Rev. 2.0
page 5
2006-03-14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT16S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDT77010 Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IDT77010L155PQF Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IE-0530HP Infrared Emitting Diode
IEEE 802.11 ()
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT10S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT10S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
IDT12S60C 功能描述:肖特基二極管與整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
IDT12S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT12S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220