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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7130SA35FG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CQFP48 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, QFP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 13/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA35FG |
13
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and
BUSY
(2,3,4)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins.
t
BDD
is ignored for slave (IDT7140).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. All timng is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite fromport "A".
Timing Waveform of Write with
BUSY
(3)
NOTES:
1. t
WH
must be met for both BUSY Input (IDT7140, slave) or Output (IDT7130 master).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. All timng is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite fromport "A".
BUSY
"B"
2689 drw 13
R/
W
"A"
t
WP
t
WH
t
WB
R/
W
"B"
(2)
(1)
,
t
WC
t
WP
t
DW
t
DH
t
BDD
t
DDD
t
BDA
t
WDD
ADDR
"B"
DATA
OUT"B"
DATA
IN"A"
ADDR
"A"
MATCH
VALID
MATCH
VALID
R
W
"A"
BUSY
"B"
t
APS
(1)
2689 drw 12
t
BAA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35FGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35FGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7130SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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| IDT7130SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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