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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7130SA35FG |
| 廠(chǎng)商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CQFP48 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, QFP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA35FG |
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IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Data Retention Waveform
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
≥
2692 drw 06
,
Data Retention Charac teristic s
(LA Version Only)
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25°C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
7130LA/7140LA
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 2.0V,
CE
> V
CC
-0.2V
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
COML.
___
100
1500
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
V
IN
> V
CC
-0.2V or V
IN
< 0.2V
0
___
___
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
ns
2689 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35FGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35FGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線(xiàn)） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC |
| IDT7130SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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