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參數(shù)資料
| 型號： | IDTIDT71P79804250BQ |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2 |
| 文件頁數(shù)： | 13/23頁 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | IDTIDT71P79804250BQ |
6.42
13
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Test Loads
Parameter
Symbol
Value
Unit
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7-1.9
V
Output Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4-1.9
V
Input High Level
V
IH
(V
DDQ
/2) + 0.5
V
Input Low Level
V
IL
(V
DDQ
/2) - 0.5
V
Input Reference Level
VREF
V
DDQ
/2
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
0.3/0.3
ns
Output Timng Reference Level
V
DDQ
/2
V
6432 tbl 11a
AC Test Conditions
NOTE:
1. Parameters are tested with RQ=250
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
=50
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
REF
OUTPUT
6432 drw 04
ZQ
R
Q
= 250
(V
DDQ
/2) + 0.5V
(V
DDQ
/2) - 0.5V
6432 drw 07
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
Input Waveform
Output Waveform
6432 drw 08
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P79804250BQI | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79804267BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79804267BQI | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTQ3V245 | QUICKSWITCH PRODUCTS 3.3V HIGH SPEED BUS SWITCH |
| IDTQS3V245Q | QUICKSWITCH PRODUCTS 3.3V HIGH SPEED BUS SWITCH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P79804250BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79804267BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79804267BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
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