參數資料
型號： IRF1312S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 2/11頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： IRF1312S
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
92
–––
–––
93 140 I
D
= 57A
–––
36
–––
–––
34
–––
–––
25
–––
–––
130
–––
–––
47
–––
–––
51
–––
–––
5450
–––
–––
550
–––
–––
340
–––
–––
1910
–––
–––
380
–––
–––
620
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 57A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 40V
I
D
= 57A
R
G
= 4.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
250
57
21
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 57A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 57A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
64
150
1.3
96
230
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
95
380
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.078 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.5
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
80
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
6.6
–––
–––
–––
–––
–––
10
5.5
1.0
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 57A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 76V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關PDF資料
PDF描述
IRF1312STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF1404L Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404S Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1405L Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF1312SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 95A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF1312SPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF1312STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF1312STRR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF131R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*