參數(shù)資料
型號： IRF1312S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： IRF1312S
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
40
80
120
160
200
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 64V
VDS= 40V
VDS= 16V
ID= 57A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1312STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF1404L Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404S Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
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