參數(shù)資料
型號： IRF1312S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 226K
代理商： IRF1312S
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
ID
LIMITED BY PACKAGE
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PDF描述
IRF1312STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF1404L Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404S Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
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