參數(shù)資料
型號(hào): IRF1405ZS-7PPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 120A )
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的RDS(on)\u003d4.9米ヘ,身份證\u003d 120A條)
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
文件大小: 700K
代理商: IRF1405ZS-7PPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
0
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
60μs PULSE WIDTH
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ID,Drain-to-Source Current (A)
0
25
50
75
100
125
150
Gf
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
300μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
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PDF描述
IRF1405Z AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF1405ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube