參數(shù)資料
型號： IRF1405ZS-7PPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 120A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d4.9米ヘ，身份證\u003d 120A條）
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 700K
代理商： IRF1405ZS-7PPBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP 14A
23A
BOTTOM88A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 150μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF1405ZL AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF1405ZSTRL7PP 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 150nC-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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