參數(shù)資料
型號： IRF7331PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： IRF7331PBF
8
www.irf.com
SO-8 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
SO-8 Part Marking
e 1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
7
K x 45°
8X L
8X c
y
0.25 [.010]
C
A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
4
3
1
2
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
4. OUTLINE CONFORMS TO J EDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
8X 1.78 [.070]
DATE CODE (YWW)
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
XXXX
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
F7101
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
WW = WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
PART NUMBER
LOT CODE
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7101 (MOSFET)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7335D1 Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
IRF7338 HEXFET Power MOSFET
IRF7341 HEXFET Power MOSFET
IRF7342D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7342PBF HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105ヘ)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7331PBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET
IRF7331TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7331TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7331TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7331TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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