參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7335D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
中文描述： 雙FETKY共同封裝雙MOSFET普樂士肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 216K
代理商： IRF7335D1
2
www.irf.com
Parameter
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
S
10
10
A
MOSFET symbol
showing the
Pulse Source Current
(Body Diode)
I
SM
81
81
intergral reverse
p-n junction diode
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V
SD
t
rr
1
28
1.25
0.43
31
0.50
V
ns
T
J
= 25°C, I
S
= 1.0A,V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
F
= 8.0A, V
R
= 15V
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Q
rr
t
rr
Q
rr
24
29
26
31
nC
ns
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
=8.0A, V
R
= 15V
di/dt =100A/μs
Reverse Recovery Charge
26
26
nC
Parameter
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
Breakdown Voltage
Tem. Coefficient
Min
30
Typ
Max
Min
30
Typ
Max Units
Conditions
BV
DSS
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Static Drain-Source
on Resistance
R
DS
(on)
13.4
17.5
9.6
12.8
m
V
GS
= 4.5V, I
D
= 10A
Gate Threshold Voltage
Drain-Source Leakage
Current
V
GS(th)
I
DSS
1.0
1.1
V
μA
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0, Tj = 125°C
30
30
0.3
10
mA
Gate-Source Leakage
Current
Forward Transconductance
I
GSS
±100
±100
nA
V
GS
= ±12V
g
FS
Q
G
Q
GS1
21
28
S
V
GS
=5V, I
D
=8.0A, V
DS
=15V
V
GS
=4.5V, I
D
=8.0A, V
DS
=15V
Total Gate Charge
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
13
3.2
20
18
5.8
27
Q
GS2
1.4
1.5
nC
Q
GD
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d (on)
t
r
t
d
(off)
t
f
C
iss
C
oss
4.1
4.9
Switch Chg(Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
5.5
7.7
4.3
6.4
11
2.6
nC
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
10
5.0
Turn-on Delay Time
Rise Time
6.8
5.9
8.8
3.3
V
DD
= 16V, I
D
= 8.0A
V
GS
= 4.5V
Clamped Inductive Load
ns
Turn-off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
19
9.1
1500
17
7.0
2300
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance C
rss
310
140
450
180
pF
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
Electrical Characteristics
Source-Drain Rating & Characteristics
& Schottky
Q1-Control FET
Q2-Synch FET
BV
DSS/
T
J
0.025
0.033
V
Reference to 25°C, I
D
= 1.0mA
S
D
G
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