型號(hào): | IRF7342PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105ヘ) |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 55V的,的RDS(on)\u003d 0.105ヘ) |
文件頁數(shù): | 3/7頁 |
文件大?。?/td> | 168K |
代理商: | IRF7342PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF7350PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRF7353D2PBF | MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029ヘ , Schottky VF = 0.52V) |
IRF7389 | HEXFET Power MOSFET |
IRF7401PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRF7402PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF7342QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7342QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET |
IRF7342QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7342TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL P-CHANNEL, -55V, 3.4A, SO-8 |
IRF7342TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SOIC - Tape and Reel |