參數(shù)資料
型號： IRF7478
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： IRF7478
IRF7478
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
17
–––
–––
21
–––
4.3
–––
9.6
–––
7.7
–––
2.6
–––
44
–––
13
–––
1740 –––
–––
300
–––
37
–––
1590 –––
–––
220
–––
410
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 4.2A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
31 I
D
= 4.2A
–––
nC
–––
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 48V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 30V
I
D
= 4.2A
R
G
= 6.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 48V
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 4.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 4.2A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
52
100
1.3
78
150
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
56
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
60
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.065 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
20
23
–––
–––
–––
–––
–––
26
30
3.0
20
100
100
-100
V
GS
= 10V, I
D
= 4.2A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
140
4.2
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7484 HEXFET Power MOSFET
IRF7495PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7495 HEXFET Power MOSFET
IRF7503PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7521D1 FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7478 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7478PBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7478QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7478QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7478TR 功能描述:MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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