參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7478
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRF7478
IRF7478
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
4.2A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25°
°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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PDF描述
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IRF7478QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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