型號: | IRF7478 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=60V) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的) |
文件頁數: | 5/8頁 |
文件大小: | 209K |
代理商: | IRF7478 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF7521D1 | FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF7478 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |
IRF7478PBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7478QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7478QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7478TR | 功能描述:MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |