參數(shù)資料
型號： IRF7910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： IRF7910
www.irf.com
1
IRF7910
HEXFET Power MOSFET
Notes
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Thermal Resistance
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 16 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
12
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
10
7.9
79
2.0
1.3
A
W
W
-55 to + 150
°C
SO-8
Applications
High Frequency 3.3V and 5V input Point-
of-Load Synchronous Buck Converters for
Netcom and Computing Applications
Power Management for Netcom,
Computing and Portable Applications
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
62.5
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°
C/W
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
V
DSS
12V
R
DS(on)
max
15m
@V
GS
= 4.5V
I
D
10A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7910TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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