參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 122K
代理商： IRF7910
IRF7910
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
40
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 9.6V
VDS= 6.0V
ID= 8.0A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF840A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF840S Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF840STRR Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF841 TRANSISTORS N-CHANNEL
IRF841 RES 100K-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
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參數(shù)描述
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