參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB4310
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 383K
代理商： IRFB4310
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
ID
LIMITED BY PACKAGE
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
100
105
110
115
120
V(
0
20
40
60
80
100
120
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
EA
ID
TOP
12A
17A
BOTTOM
75A
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
DC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL4310 HEXFET Power MOSFET
IRFS4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFB4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFSL4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFSL17N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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