參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB4310
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 383K
代理商： IRFB4310
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
4
8
12
16
20
IR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
500
QR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
500
QR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
4
8
12
16
20
IR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL4310 HEXFET Power MOSFET
IRFS4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFB4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFSL4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFSL17N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB4310GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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