參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI5210
廠商： International Rectifier
英文描述： -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： - 100V的，- 23A條，P通道HEXFET功率MOSFET（- 100V的，- 23A條，P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFI5210
IRFI5210
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
G
A
-
V = -80V
V = -50V
V = -20V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -21A
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T = 25°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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