參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI5210
廠商： International Rectifier
英文描述： -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： - 100V的，- 23A條，P通道HEXFET功率MOSFET（- 100V的，- 23A條，P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 143K
代理商： IRFI5210
IRFI5210
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T , Case Temperature (°
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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