參數(shù)資料
型號： IRFIB41N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRFIB41N15D
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
9.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
6.0V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
6.0V
1
10
100
1000
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
41A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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