參數(shù)資料
型號: IRFIB41N15D
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: IRFIB41N15D
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
T , Case Temperature (°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIB41N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFIB5N65 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
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